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pn結溫度傳感器的發展

提問者:網友 2018-08-26
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PN結及其形成過程 在雜質半導體中, 正負電荷數是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性。在P型半導體和N型半導體結合后,在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差,N型區內的電子很多而空穴很少,P型區內的空穴而電子很少,這樣電子和空穴很多都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散,因此,有些電子要從N型區向P型區擴散, 也有一些空穴要從P型區向N型區擴散電子和空穴帶有相反的電荷,它們在擴散過程中要產生復合(中和),結果使P區和N區中原來的電中性被破壞。 P區失去空穴留下帶負電的離子,N區失去電子留下帶正電的離子, 這些離子因物質結構的關系,它們不能移動,因此稱為空間電荷,它們集中在P區和N區的交界面附近,形成了一個很薄的空間電荷區,這就是所謂的PN結。PN結溫度傳感器就是利用PN特性研制發展的。PN結溫度傳感器是一種半導體敏感器件, 它實現溫度與電壓的轉換。在常溫范圍內兼有熱電偶,鉑電阻,和熱敏電阻的各自優點,同時它克服了這些傳統測溫器件的某些固有缺陷,是自動控制和儀器儀表工業不可缺少的基礎元器件之一。
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